| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,至少连续包含:在矽基板上,形成具有连接到多晶矽栓塞的扩散区之电晶体;在980到1020℃的基板温度下,将该矽基板执行第一次热处理;及在700到850℃的基板温度下,将该矽基板执行第二次热处理。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该形成系包含将硼,磷和砷其中之一引入该扩散区之步骤。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二次热处理系接在该第一次热处理之后。4.一种半导体装置之制造方法,至少连续包含:分别在矽基板的第一和第二区形成第一和第二电晶体,其中该第一电晶体具有连接到多晶矽栓塞的扩散区,而该第二电晶体则具有连接到金属栓塞的扩散区;在980到1020℃的基板温度下,将该矽基板执行第一次热处理;700到850℃的基板温度下,将该矽基板执行第二次热处理;将氟或氟的化合物植入该第二电晶体的该扩散区;及在500到850℃的基板温度下,将该矽基板执行第三次热处理。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该形成系包含将硼引入该第二电晶体的该扩散区之步骤,而该植入系以1到50keV的加速能量和1到51015/cm2的剂量布植氟化硼。6.如申请专利范围第4项之方法,其中该形成系包含将硼,磷和砷其中之一引入该第一电晶体的该扩散区之步骤。7.如申请专利范围第4项之方法,其中该第二次热处理系接在该第一次热处理之后。8.一种半导体装置之制造方法,至少连续包含:分别在矽基板的第一和第二区形成第一和第二电晶体,其中该第一电晶体具有连接到多晶矽栓塞的扩散区,而该第二电晶体则具有连接到金属栓塞的扩散区;在980到1020℃的基板温度下,将该矽基板执行第一次热处理;在700到850℃的基板温度下,将该矽基板执行第二次热处理;及在高于该第一次热处理之该温度的最高温度下,执行第三次热处理,将该矽基板急遽热退火。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该第三次热处理之该最高温度为1000到1050℃。10.如申请专利范围第8项之方法,其中该形成系包含将硼,磷和砷其中之一引入该第一电晶体的该扩散区之步骤。11.如申请专利范围第8项之方法,其中该形成系包含将硼,磷和砷其中之一引入该第二电晶体的该扩散区之步骤。12.如申请专利范围第8项之方法,其中该第二次热处理系接在该第一次热处理之后。图式简单说明:第1A图为根据本发明第一实施例之流程图,而第1B图为根据本发明第二实施例之部分流程图;第2A图到第2F图为半导体装置之传统制程和第1A图制程的连续步骤横截面图;第3图为以测试元素群(TEGs)量测接面漏电流的累进分布图,其中纵座标为测得之接面漏电流的标准差;第4A图为第3图曲线尾端,TEGs量测之EDMR讯号强度和闸极电压之间的关系图,而第4B图为单胞电晶体的横截面图,用以图示造成接面漏电流之空缺型缺陷的位置;第5A图为一横截面图,用以图示多晶矽栓塞附近及使用CBED技术量测的位置,而第5B图为示于第5A图之各位置的晶格应变量图;及第6图为根据本发明第二实施例之制程,急遽热退火的温度线图。 |
