发明名称 晶圆侧边标记对位方法
摘要 一种晶圆侧边标记对位方法,包含步骤a)提供至少一第一晶圆、至少一第二晶圆,以及至少一感测装置,该第一晶圆之横截面上系设有至少一第一图案与一第二图案,该第二晶圆之横截面上系设有至少一第三图案与一第四图案,该第一图案系可与该第三图案相配合,该第二图案系可与该第四图案相配合;b)作动该第一晶圆与该第二晶圆,使该第一晶圆与该第二晶圆彼此平行且相距一间隔;c)作动该第一晶圆与该第二晶圆,使该第一晶圆与该第二晶圆开始彼此接近,同时该感测装置系进行感测,以确定该第一图案是否与该第三图案相配合,且该第二图案是否与该第四图案相配合;以及d)若该第一图案系与该第三图案相配合,且该第二图案系与该第四图案相配合,则接合该第一晶圆与该第二晶圆。
申请公布号 TWI261733 申请公布日期 2006.09.11
申请号 TW093140841 申请日期 2004.12.28
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 陈秋旺
分类号 G03F7/207 主分类号 G03F7/207
代理机构 代理人
主权项 1.一种晶圆侧边标记对位方法,包括下列步骤:a)提供至少一第一晶圆、至少一第二晶圆,以及至少一感测装置,该第一晶圆之横截面上系设有至少一第一图案与一第二图案,该第二晶圆之横截面上系设有至少一第三图案与一第四图案,该第一图案系可与该第三图案相配合,该第二图案系可与该第四图案相配合;b)作动该第一晶圆与该第二晶圆,使该第一晶圆与该第二晶圆彼此平行且相距一间隔;以及c)作动该第一晶圆与该第二晶圆,使该第一晶圆与该第二晶圆开始彼此接近,同时该感测装置系进行感测,以确定该第一图案是否与该第三图案相配合,且该第二图案是否与该第四图案相配合。2.如申请专利范围第1项所述之晶圆侧边标记对位方法,更包括步骤:d)若该第一图案系与该第三图案相配合,且该第二图案系与该第四图案相配合,则接合该第一晶圆与该第二晶圆。3.如申请专利范围第1项所述之晶圆侧边标记对位方法,更包括步骤:d)若该第一图案与该第三图案未配合,而该第二图案已与该第四图案相配合,则调整该第一晶圆与该第二晶圆,使该第一图案与该第三图案相配合,且维持该第二图案与该第四图案相配合;e)接合该第一晶圆与该第二晶圆。4.如申请专利范围第1项所述之晶圆侧边标记对位方法,更包括步骤:d)若该第一图案与该第三图案未配合,且该第二图案与该第四图案亦未配合,则调整该第一晶圆与该第二晶圆,使该第一图案与该第三图案相配合,且该该第二图案与该第四图案亦相配合;e)接合该第一晶圆与该第二晶圆。5.如申请专利范围第1项所述之晶圆侧边标记对位方法,其中该感测装置系为一电子耦合元件镜头。6.如申请专利范围第5项所述之晶圆侧边标记对位方法,其中该第一图案、该第二图案、该第三图案,及该第四图案系选择为二度空间图案与三度空间图案中之一个。7.如申请专利范围第1项所述之晶圆侧边标记对位方法,其中该感测装置系为一接触式的感测探针。8.如申请专利范围第7项所述之晶圆侧边标记对位方法,其中该第一图案、该第二图案、该第三图案,及该第四图案系为三度空间图案。图式简单说明:图一系为先前技术之晶圆对位方法之示意图;图二系为先前技术之晶圆对位方法之示意图;图三系为先前技术之晶圆对位方法之示意图;图四系为先前技术之晶圆对位方法之示意图;图五系为先前技术之晶圆对位方法之示意图;图六系为本发明晶圆侧边标记对位方法中之晶圆图案局部放大示意图;以及图七系为本发明晶圆侧边标记对位方法之一实施例。
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号