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1.一种制造具有复数个凹槽通道区域之半导体元 件的方法,包含下列步骤: 在基板中形成许多元件隔离层; 在元件隔离层和基板上,形成硬式遮罩氮化物层、 硬式遮罩氧化物层和硬式遮罩多晶矽层,于是可以 得到硬式遮罩图案; 藉由使用硬式遮罩图案以曝露许多凹槽通道区域, 而在基板的预定区域形成许多沟渠,以曝露许多凹 槽通道区域; 选择性移除硬式遮罩图案;及 在许多沟渠中,形成许多闸极结构。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中藉由使用硬式 遮罩氮化物层当作蚀刻停止层来选择性蚀刻硬式 遮罩氧化物层,以移除硬式遮罩图案;然后选择性 蚀刻硬式遮罩氮化物层。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中藉由湿式蚀刻 制程来移除硬式遮罩氧化物层。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中用以移除硬式 遮罩氧化物层之湿式蚀刻制程系使用HF溶液执行 。 5.如申请专利范围第2项之方法,其中硬式遮罩氮化 物层系藉由湿式蚀刻制程和乾式蚀刻制程其中之 一移除。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中用以移除硬式 遮罩氮化物层之湿式蚀刻制程系使用H3PO4溶液执 行。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中硬式遮罩氮化 物层形成之厚度范围系为由约50到约200。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中硬式遮罩氧化 物层形成之厚度范围系约为50到200。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中在形成闸极结 构图案的步骤之前,还有包含在沟渠上形成闸极氧 化物层之步骤。 图式简单说明: 第1A图到第1C图为藉由使用凹槽通道阵列电晶体( RCAT)技术制造半导体元件之传统方法的横截面图; 第2A图为根据传统方法,产生许多濠沟M的横截面图 ; 第2B图为根据传统方法,用以形成许多闸极结构之 剩余层的横截面图;及 第3A图到第3E图为藉由使用根据本发明之RCAT技术, 形成半导体元件之方法的横截面图。 |
