发明名称 施加予患者的监视辐射剂量之方法,系统,及电脑程式产品,可抛弃式剂量计贴片及其所用之剂量计辐射感应器,以及制造辐射感应器的方法
摘要 本发明揭示一种方法、系统、装置及电脑程式产品,其包括定位可抛弃式之单次使用辐射感应器贴片,该贴片具有黏结患者皮肤的构件,以便评估于治疗期间施加的辐射剂量。感应器贴片的配置阻碍小并且操作不必使用外部延长电缆或导线。
申请公布号 TWI261523 申请公布日期 2006.09.11
申请号 TW091134799 申请日期 2002.11.29
申请人 希塞尔科技公司 发明人 罗伯D. 布拉克;乔治 葛兰伍 曼;史帝文R. 维登那;菲利普M. 力门
分类号 A61N5/00;A61B5/00 主分类号 A61N5/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 1.一种施加予患者进行辐射治疗的监视辐射剂量 之方法,包括步骤: 可拆除式地固定至少一单次使用剂量计感应器贴 片在患者皮肤上面,因而贴片为自含型及无向外伸 长的导线; 施加辐射予一第一治疗时段的患者; 在施加步骤后使用一剂量读取器接触感应器贴片, 以获取剂量计感应器贴片的一操作参数变化有关 的资料;及 根据操作参数的变化决定施加步骤中患者接收的 辐射剂量。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中贴片的底面包 括一黏贴层,及其中可拆除式地固定步骤系将贴片 压在皮肤上而完成,因而其黏结在皮肤上。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中可拆除式固定 步骤使用一黏性包皮覆盖感应器贴片,因而至少一 部份的黏性包皮接触皮肤并将感应器贴片贴在皮 肤上。 4.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括在将可 拆除式感应器贴片固定在患者皮肤上之前,至少一 校正及/或预定至少一个单次使用剂量计感应器贴 片的剂量。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中校正步骤及/ 或预定剂量步骤进一步包括同时校正及/或预定复 数个感应器贴片的剂量,其中复数个感应器贴片系 配置在电性耦合感应器贴片之一单页上。 6.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括储存辐 射剂量资料于结合感应器贴片的一记忆体装置。 7.如申请专利范围第6项之方法,进一步包括下载储 存资料至一远端电脑及/或读取器。 8.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括消毒单 次使用剂量计感应器贴片及施加一黏结层至一选 择的主表面。 9.如申请专利范围第8项之方法,进一步包括封包单 次使用剂量计贴片于一适合人类医疗使用的消毒 封包内。 10.如申请专利范围第1项之方法,其中至少一单次 使用剂量计贴片为复数个低断面分开挠性单次使 用贴片之一,及其中可拆除式固定步骤包括定位各 贴片于患者身上目标辐射区附近的一不同位置。 11.如申请专利范围第10项之方法,进一步包括定位 至少一贴片靠近不需要辐射的一区域或在辐射敏 感区域以侦测是否该区域已接收辐射。 12.如申请专利范围第10项之方法,进一步包括: 在一第二治疗时段中在患者身上定位不同于该第 一剂量计贴片之一第二复数个剂量计感应器贴片; 施加一第二辐射治疗予一第二治疗时段的患者; 在施加步骤后使用一剂量读取器接触第二复数个 感应器贴片,以获取个别剂量计感应器贴片的一操 作参数变化有关的资料;及 根据剂量计感应器贴片操作参数的变化来决定于 施加步骤中患者接收的辐射剂量。 13.如申请专利范围第12项之方法,进一步包括: 在第一治疗时段后抛弃第一复数个剂量计感应器 贴片;及 在第二治疗时段后抛弃第二复数个剂量计感应器 贴片。 14.如申请专利范围第12项之方法,进一步包括: 在第一治疗时段后根据一医疗患者形态储存第一 复数个剂量计感应器贴片;及 在第二治疗时段后根据一医疗患者形态储存第二 复数个剂量计感应器贴片。 15.如申请专利范围第12项之方法,其中第一及第二 治疗用的贴片实质上放在相同的位置。 16.如申请专利范围第10项之方法,其中决定步骤包 括使用剂量读取器装置连续地、各别地、实际地 接触感应器贴片,以决定各感应器贴片的辐射剂量 。 17.如申请专利范围第1项之方法,其中使用一剂量 读取器装置接触感应器贴片包括定位感应器贴片 于剂量读取器装置的一感应器埠内,致使感应器贴 片及剂量读取器装置之间产生一电性耦合。 18.如申请专利范围第17项之方法,其中感应器贴片 完全适合插入剂量读取器装置及其中剂量读取器 装置完全适合接收感应器贴片。 19.如申请专利范围第1项之方法,其中使用一剂量 读取器装置接触感应器贴片包括定位该剂量读取 器装置致使感应器贴片及剂量读取器装置之间产 生一电性耦合,其中感应器贴片包括至少一电感应 器接触以促进该电性耦合。 20.如申请专利范围第10项之方法,其中进行治疗的 患者具有一目标肿瘤治疗部位,其中剂量计贴片放 置在肿瘤部位附近身体的正面及背面上,及其中施 加予肿瘤部位的剂量系根据决定値估计。 21.如申请专利范围第16项之方法,进一步包括: 在第一治疗时段后续的一第二治疗时段中在患者 身上定位一第二复数个剂量计感应器贴片; 施加一第二辐射治疗予一第二治疗时段的患者;及 考虑第一及第二治疗之间是否一或更多贴片位置 的决定値不同,以确定辐射聚焦是否适当。 22.如申请专利范围第1项之方法,其中剂量计贴片 感应器包括具有一辐射时产生变化的一相关临界 电压之一金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)装 置,及其中决定步骤进一步包括分析临界电压变化 的步骤。 23.如申请专利范围第22项之方法,其中该方法进一 步包括在施加辐射步骤之前决定一辐射前临界电 压步骤。 24.如申请专利范围第23项之方法,进一步包括施加 一第一设定确认辐射剂量及在至少一感应器贴片 固定在患者之后获取一第一辐射剂量値用于至少 一感应器贴片,以确认复数个光束设定参数为正确 及/或适当。 25.如申请专利范围第24项之方法,其中复数个设定 光束参数包括至少为光束能、场尺寸、表面至表 面距离、电子及光子之一。 26.如申请专利范围第22项之方法,其中该决定步骤 包括辐射后临界电压値减辐射前临界电压値,及比 较一剂量曲线以决定辐射剂量。 27.如申请专利范围第10项之方法,进一步包括藉由 各感应器贴片的决定辐射剂量値关联于各贴片目 标上的解剖位置以测绘一剂量的梯度。 28.如申请专利范围第1项之方法,进一步包括提供 一感应器贴片表面上的一覆盖材料以模拟患者皮 肤下一定距离相对感应器贴片的一表面配置。 29.如申请专利范围第28项之方法,其中配置的覆盖 材料结合感应器贴片。 30.如申请专利范围第28项之方法,其中覆盖材料包 括一弹性、挠性、仿皮肤材料。 31.如申请专利范围第28项之方法,其中形成覆盖材 料包括形成具有一厚度约为0.5至3cm的覆盖材料。 32.如申请专利范围第31项之方法,其中形成覆盖材 料包括形成具有厚度约为1至1.5 cm的覆盖材料。 33.一种施加予患者于一治疗中的监视辐射之系统, 该系统包括: 至少一可抛弃单次使用剂量计贴片,该贴片包括一 本体维持一电路具有至少一金属氧化物半导体场 效电晶体(MOSFET)及其上的一外部读取器接触区,该 至少一金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)具有 一曝露在辐射中会改变的一关系临界电压,该本体 包括相对的上及下主表面;及 配置一外部可携式剂量读取器,藉由实际接合贴片 上的接触区以产生电性接触贴片,以获得相当于使 用时的辐射剂量的电压临界资料, 其中贴片的周围没有向外延长的散导线。 34.如申请专利范围第33项之系统,其中至少一贴片 包括一突耳部份用来插入可携式外部剂量读取器 并形成其间电性接触。 35.如申请专利范围第34项之系统,其中可携式外部 剂量读取器包括一感应器贴片,配置感应器埠以接 收贴片的突耳部分及形成其间电性接触以获取关 系贴片的临界电压値。 36.如申请专利范围第33项之系统,其中至少一剂量 计贴片为具有一适合弹性体之复数个分开的感应 器贴片,及其中配置读取器以便在有效辐射治疗使 用之前顺序接触个别感应器贴片以获得相关的临 界电压値。 37.如申请专利范围第33项之系统,其中至少一剂量 计贴片为复数个分开的感应器贴片具有一适合弹 性体,及其中配置读取器以便在有效辐射治疗中使 用之后连续地接触各感应器贴片以获得相关的低 限临界电压値。 38.如申请专利范围第33项之系统,其中读取器具有 用来穿透或刺破贴片本体之一探针端部份以至成 直接电性接触在读取器接触区域的电路。 39.如申请专利范围第33项之系统,其中读取器进一 步包括用于输出计算的剂量値之一显示器。 40.如申请专利范围第33项之系统,其中读取器包括 资料传送构件,以传输计算剂量値至一区域或用于 电子存入一患者记录之远端控制器。 41.如申请专利范围第33项之系统,其中贴片进一步 包括一记忆体储存装置电性耦合至该至少一金属 氧化物半导体场效电晶体(MOSFET),记忆体储存装置 包括获得的资料及患者资讯。 42.如申请专利范围第41项之系统,其中记忆体储存 装置包括一电性可擦拭唯读可程式记忆体(EEPROM) 。 43.如申请专利范围第41项之系统,其中记忆体储存 装置包括资料相当于用于辐射量化之一电子偏移 参数。 44.如申请专利范围第41项之系统,其中该至少一贴 片为至少预定剂量及/或在患者身上放置至少一贴 片之前校正之一的贴片,及其中预定剂量及/或校 正资料储存在贴片的记忆体储存装置内。 45.如申请专利范围第44项之系统,其中一单页上面 配置复数个贴片,该单页的贴片至少同时作预定剂 量及/或校正之一的贴片,及其中预定剂量及/或校 正资料储存在个别贴片的记忆体储存装置内。 46.如申请专利范围第33项之系统,进一步包括电脑 程式码,其用于决定各贴片的一辐射値及决定各治 疗时段的一施加剂量,贴片的配置以测量每时段之 间约1.8-2 Gray。 47.如申请专利范围第46项之系统,进一步包括电脑 程式码用于累计各时段各贴片的各量,以确认施加 的累积剂量在35-80 Gray之间的范围内。 48.如申请专利范围第33项之系统,其中至少一金属 氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)包括一金属氧化 物半导体场效电晶体(MOSFET)对,其中该金属氧化物 半导体场效电晶体(MOSFET)对在辐射中差动偏移以 产生不同的电压偏置。 49.如申请专利范围第33项之系统,其中至少一金属 氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)包括一金属氧化 物半导体场效电晶体(MOSFET)对,其中该对的一金属 氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)选择性植入掺杂 剂离子,以根据另外的金属氧化物半导体场效电晶 体(MOSFET)偏移临界电压及/或相对另外的金属氧化 物半导体场效电晶体(MOSFET)增加移植金属氧化物 半导体场效电晶体(MOSFET)的辐射敏感度。 50.如申请专利范围第33项之系统,其中贴片的下主 表面上包括一医疗级黏结层。 51.如申请专利范围第33项之系统,其中贴片包括一 黏贴包皮,该包皮包括一医疗级黏结层用来覆盖电 路基板及保持感应器贴片在患者身上的位置。 52.如申请专利范围第33项之系统,进一步包括至少 一感应器贴片表面上的一覆盖材料以模拟患者皮 肤下一定距离相对该至少一感应器贴片的一表面 配置。 53.如申请专利范围第52项之系统,其中配置的覆盖 材料结合感应器贴片。 54.如申请专利范围第52项之系统,其中覆盖材料包 括一弹性、挠性、仿皮肤材料。 55.如申请专利范围第52项之系统,其中形成覆盖材 料具有一厚度约为0.5至3cm。 56.如申请专利范围第55项之系统,其中形成覆盖材 料具有一厚度约为1至1.5cm。 57.一种可抛弃式外部使用辐射剂量计贴片,该贴片 包括一合适弹性基板维持一电路具有一操作电子 组件,以便在辐射时用一可侦测及可预测方法改变 一参数,该本体包括相对上下主表面,其中剂量计 贴片使用时无外部延长导线,及其中贴片为一种单 次使用剂量计贴片以黏结方式固定在一患者皮肤 上。 58.如申请专利范围第57项之可抛弃式外部使用辐 射剂量计贴片,其中下主表面上包括一黏结层。 59.如申请专利范围第57项之可抛弃式外部使用辐 射剂量计贴片,其中该贴片包括一包皮,该包皮包 括一医疗级黏结用来覆盖电路基板及保持感应器 贴片在患者身上的位置。 60.如申请专利范围第57项之可抛弃式外部使用辐 射剂量计贴片,其中电路进一步包括一记忆体储存 装置。 61.如申请专利范围第60项之可抛弃式外部使用辐 射剂量计贴片,其中记忆体储存装置包括一电性可 擦拭唯读可程式记忆体(EEPROM)。 62.如申请专利范围第60项之可抛弃式外部使用辐 射剂量计贴片,其中该贴片为至少预定剂量及/或 校正之一的贴片,及预定剂量及/或校正资料储存 在记忆体储存装置内。 63.如申请专利范围第57项之可抛弃式外部使用辐 射剂量计贴片,其中可抛弃式剂量计贴片完全适合 插入一读取器装置及电性耦合读取器装置至贴片 电路。 64.如申请专利范围第57项之可抛弃式外部使用辐 射剂量计贴片,其中操作电子组件为至少一金属氧 化物半导体场效电晶体(MOSFET),其中该电路适合接 合一外部读取器,及其中变化的可侦测操作参数为 至少一金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)临界 电压。 65.如申请专利范围第57项之可抛弃式外部使用辐 射剂量计贴片,其中配置至少一金属氧化物半导体 场效电晶体(MOSFET)以电性短路闸极至汲极的连接 。 66.如申请专利范围第57项之可抛弃式外部使用辐 射剂量计贴片,其中至少一金属氧化物半导体场效 电晶体(MOSFET)为一金属氧化物半导体场效电晶体( MOSFET)对,其中该对的一金属氧化物半导体场效电 晶体(MOSFET)选择性植入掺杂剂离子以根据另外的 金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)偏移其临界 电压,及/或相对另外的金属氧化物半导体场效电 晶体(MOSFET)以增加移植金属氧化物半导体场效电 晶体(MOSFET)的辐射敏感度,因而获得一差动电压测 量以测量辐射。 67.如申请专利范围第57项之可抛弃式外部使用辐 射剂量计贴片,其中电路包括至少两个金属氧化物 半导体场效电晶体(MOSFET),一个位于在基板反面上 的另一个的上方,面对面对准以避免基板的方位影 响。 68.如申请专利范围第57项之可抛弃式外部使用辐 射剂量计贴片,其中配置的可抛弃式剂量计贴片系 用来无线通信一读取器装置以获得测量辐射资料 。 69.一种一组可抛弃式单次使用之辐射剂量计贴片, 其包括: 复数个分开可抛弃式单次使用剂量计贴片,各贴片 包括一合适弹性基板维持一电路具有一操作电子 组件,以便在辐射时用一可侦测及可预测方法改变 一参数,本体包括相对上及下主表面及其中剂量计 贴片使用时没有外部吊挂导线。 70.如申请专利范围第69项之一组可抛弃式单次使 用辐射剂量计贴片,其中下主表面上包括一黏结层 。 71.如申请专利范围第69项之一组可抛弃式单次使 用辐射剂量计贴片,其中该组贴片的各贴片包括一 包皮,该包皮包括一医疗级黏结以用来覆盖电路基 板及保持感应器贴片在患者身上的位置。 72.如申请专利范围第69项之一组可抛弃式单次使 用辐射剂量计贴片,其中该感应器贴片系用来识别 其上的标示。 73.如申请专利范围第72项之一组可抛弃式单次使 用辐射剂量计贴片,其中操作电子组件为至少一金 属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET),且其中变化的 可侦测操作参数为至少一金属氧化物半导体场效 电晶体(MOSFET)临界电压。 74.如申请专利范围第69项之一组可抛弃式单次使 用辐射剂量计贴片,进一步包括各感应器贴片的临 界电压的零剂量特性资料。 75.如申请专利范围第74项之一组可抛弃式单次使 用辐射剂量计贴片,其中特性资料保存在位于该贴 片组的各选择贴片上的一记忆体装置内。 76.如申请专利范围第69项之一组可抛弃式单次使 用辐射剂量计贴片,其中配置各感应器贴片以侦测 辐射剂量至少在10至200 cGy的范围内。 77.如申请专利范围第76项之一组可抛弃式单次使 用辐射剂量计贴片,其中配置各感应器贴片以侦测 辐射剂量至少在40至70 cGy的范围内。 78.如申请专利范围第76项之一组可抛弃式单次使 用辐射剂量计贴片,其中配置的感应器贴片从侧面 观看为一低断面。 79.如申请专利范围第78项之一组可抛弃式单次使 用辐射剂量计贴片,其中一低断面感应器贴片包括 一感应器贴片从侧面观看实质上为一平面。 80.如申请专利范围第69项之一组可抛弃式单次使 用辐射剂量计贴片,其中感应器贴片适合皮肤及实 质上为平面。 81.如申请专利范围第69项之一组可抛弃式单次使 用辐射剂量计贴片,其中感应器贴片适合至少部份 插入一读取器装置及电连接读取器装置至电路。 82.如申请专利范围第69项之一组可抛弃式单次使 用辐射剂量计贴片,其中该组贴片分布在一共同页 上及其中该页贴片在该组贴片曝露于有效治疗辐 射之前至少为预定剂量及/或校正的页之一。 83.如申请专利范围第82项之一组可抛弃式单次使 用辐射剂量计贴片,其中该组贴片在校正及/或预 定剂量时相互电性耦合。 84.一种用于评估施加予一患者的一辐射剂量之电 脑程式产品,该电脑程式产品包括: 一电脑可读取储存媒体,其具有实施电脑可读取程 式码于媒体中,该电脑可读取程式码包括: 电脑可读取程式码,其用于接收复数个可抛弃式感 应器贴片相关的辐射前临界电压资料; 电脑可读取程式码,其用于接受来自一电连续接触 复数个可抛弃式感应器的各感应器的一读取器的 资料;及 电脑可读取程式码,其用于决定辐射后该可抛弃式 感应器的临界电压偏移。 85.如申请专利范围第84项之电脑程式产品,进一步 包括外插感应器贴片的决定剂量以根据从复数个 贴片所获得的资料估计施加予肿瘤的辐射剂量。 86.如申请专利范围第84项之电脑程式产品,进一步 包括电脑码用于平均复数个贴片的剂量値以决定 一代表辐射剂量。 87.如申请专利范围第86项之电脑程式产品,进一步 包括电脑码用于抛弃不正确统计値。 88.如申请专利范围第87项之电脑程式产品,进一步 包括电脑程式码用警告电压资料破坏或抛弃实质 上与预测値相差很远的剂量値。 89.一种用于量化辐射量或剂量之剂量计辐射感应 器,包括一感应器电路,该电路包括一金属氧化物 半导体场效电晶体(MOSFET)对结构,因而不需要浮动 闸极结构及/或在辐射时不需要施加外部电压。 90.如申请专利范围第89项之剂量计辐射感应器,其 中金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)对之一选 择性植入离子以偏移相对另外金属氧化物半导体 场效电晶体(MOSFET)的临界电压。 91.如申请专利范围第90项之剂量计辐射感应器,其 中比较该金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)对 的该两金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)的临 界电压以决定辐射剂量。 92.如申请专利范围第89项之剂量计辐射感应器,其 中该剂量计配置成一表面固定贴片。 93.如申请专利范围第89项之剂量计辐射感应器,其 中配置的剂量计系用来无线通信一读取器装置以 获得测量辐射资料。 94.如申请专利范围第89项之剂量计辐射感应器,其 中该金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)对为无 偏差配置。 95.如申请专利范围第89项之剂量计辐射感应器,其 中配置的剂量计系用来插入一读取器装置及电性 耦合该读取器至该剂量计。 96.一种包括适合接收一感应器贴片的一感应器埠 之剂量读取器装置,感应器贴片具有一突耳部份适 合插入感应器埠及电性耦合感应器贴片至读取器 装置,以提供关系感应器贴片的一操作参数的资料 至读取器。 97.如申请专利范围第96项之剂量读取器装置,进一 步包括一埠用于下载相关资料至一远端电脑及/或 一电脑应用。 98.如申请专利范围第96项之剂量读取器装置,其中 该剂量读取器装置为一改良的个人数位助理(PDA) 。 99.一种制造辐射感应器贴片的方法,其包括: 形成复数个辐射敏感元件于一单页的基板材料上 成一高密度图案配置; 校正至少复数个辐射敏感元件之一;及 从一整页基板材料的复数个辐射敏感元件分割成 为复数个分开的辐射感应器贴片。 100.如申请专利范围第99项之方法,其中校正至少复 数个元件之一包括利用单页上的一电性耦合复数 个辐射敏感元件的一校正线同时校正复数个辐射 敏感元件。 101.如申请专利范围第99项之方法,其中校正进一步 包括: 程式化一记忆体储存装置位于至少一个辐射敏感 元件上面,该元件具有利用单页上校正线的辐射校 正资料。 102.如申请专利范围第99项之方法,其中该单页包括 片孔以便分割复数个辐射敏感元件成为复数个分 开的辐射感应器贴片。 103.如申请专利范围第99项之方法,进一步包括: 施加一黏结予至少分割的辐射感应器贴片之一,该 至少一辐射感应器贴片可拆除地黏贴在一患者皮 肤上。 104.如申请专利范围第99项之方法,进一步包括: 将一具有一主表面可拆除地黏结分割分开的辐射 感应器贴片之一包皮至一患者皮肤贴在至少一个 分割分开的辐射感应器贴片上。 图式简单说明: 图1为根据本发明一具体实施例的一患者进行辐射 治疗的示意图。 图2为根据本发明一具体实施例患者进行辐射治疗 的监视操作方块图。 图3A及3B显示根据本发明具体实施例可抛弃式剂量 计贴片组。 图3C为一流程图显示根据本发明具体实施例的感 应器位置的解剖图。 图4为显示根据本发明具体实施例的患者资讯格式 例子。 图5A及5B显示根据本发明具体实施例感应器放置位 置示意图。 图6为显示根据本发明一具体实施例的一读取器接 触感应器以获得辐射剂量资料的示意图。 图7为显示根据本发明一具体实施例的一读取器接 收感应器埠内的感应器以获得辐射剂量资料的示 意图。 图8A为根据本发明一具体实施例的一可抛弃式辐 射剂量计的放大侧视图。 图8B为图8A所显示剂量计的上视图。 图8C根据本发明一读取器天线的探针头的部份断 面图。 图9A为根据本发明具体实施例的具有电路的感应 器贴片示意图。 图9B为根据本发明具体实施例的另外具有电路的 感应器贴片之具体实施例之示意图。 图9C为根据本发明具体实施例的另外具有电路的 感应器贴片之具体实施例之示意图。 图9D为根据本发明具体实施例的另外感应器贴片 之具体实施例之示意图。 图9E为根据本发明具体实施例的另外感应器贴片 之具体实施例之示意图。 图10A为根据本发明具体实施例一页感应器的示意 图。 图10B为根据本发明具体实施例另外一页感应器示 意图。 图10C为根据本发明具体实施例另外一页感应器示 意图。 图11为根据本发明具体实施例的具有一读取器介 面及一选译性记忆体的MOSFET感应器的电路示意图 。 图12A为根据本发明一具体实施例的一临界电压读 取器电路示意图。 图12B为根据本发明一具体实施例的一临界电压値 对辐射剂量变化的曲线图。 图13为临界电压对使用图12A所示读取器的电压(Vo) 的Ids的曲线图。 图14A为根据本发明具体实施例一具有MOSFET对的电 路图,左侧图相当于放射操作配置及右侧图相当于 读取剂量操作配置。 图14B为根据本发明具体实施例一具有MOSFET对的电 路图,左侧图相当于放射操作配置及右侧图相当于 读取剂量操作配置。 图15A为根据本发明具体实施例根据从一点接触读 取器资料获取系统取得的资料以估计辐射的系统 或电脑程式产品的示意图。 图15B显示根据本发明一具体实施例的一读取器装 置的方块图。 图15C显示根据本发明另一具体实施例的一读取器 装置的方块图。 图16为根据本发明一具体实施例具有辐射估计模 组的一电脑程式方块图。 图17显示根据本发明一具体实施例的一点接触读 取器资料获取系统的方块图。
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