| 主权项 |
1.一种SOI基板,具备:由半导体单晶所构成的支持基 板,和由经氧化膜而被贴合在上述支持基板上的半 导体单晶所构成的活性层, 而上述氧化膜仅形成于上述活性层, 藉由选择性地仅使用以电浆蚀刻法生成的反应基, 而蚀刻上述活性层表面,使上述活性层的厚度形成 在10至200nm的范围,且上述活性层整体的膜厚差形 成1.5nm以下。 2.一种SOI基板的制造方法,其特征为包括: 在半导体单晶所构成之活性层用基板的至少表面, 形成氧化膜的步骤;和 从上述活性层用基板的表面植入氢离子,以在上述 活性层用基板内部形成离子植入区域的步骤;和 于将上述活性层用基板经由上述氧化膜密接于半 导体单晶所构成的支持基板的状态下,藉由实施第 1热处理,而将上述活性层用基板于离子植入区域 从上述支持基板分离,以在上述支持基板的表面形 成活性层,来制作贴合基板的步骤;和 测定上述活性层整体的膜厚的步骤;和 选择性地仅使用以电浆蚀刻法生成的反应基,大幅 度地蚀刻上述活性层表面之膜厚较大的部分,且小 幅度地蚀刻上述活性层表面之膜厚较小的部分,以 将上述活性层蚀刻至少100nm,而薄化成预定厚度的 步骤;和 藉由将上述已实施电浆蚀刻的贴合基板进行第2热 处理,来提升贴合强度的步骤。 3.如申请专利范围第2项所记载之SOI基板的制造方 法,其中,将活性层表面整体的膜厚以1至4mm之范围 内的预定间距来加以测定。 4.如申请专利范围第2项所记载之SOI基板的制造方 法,其中,将活性层表面整体的膜厚以从上述活性 层的中心至上述活性层周缘为止来加以测定。 5.如申请专利范围第2项所记载之SOI基板的制造方 法,其中,电浆蚀刻后之活性层整体的膜厚差为1.5nm 以下。 6.如申请专利范围第2项所记载之SOI基板的制造方 法,其中,又包括:将贴合基板周缘之非活性区域与 活性区域的交界部分,不依据活性层膜厚的测定资 料,而仅对依据膜厚测定资料之电浆蚀刻前的上述 活性层厚度部分,进一步加以电浆蚀刻的步骤。 7.如申请专利范围第2项所记载之SOI基板的制造方 法,其中,又包括:利用第2热处理将活性层表面形成 有氧化膜的贴合基板浸渍于洗净液,藉以去除上述 氧化膜后,去除微粒子及金属的洗净步骤。 8.如申请专利范围第2项所记载之SOI基板的制造方 法,其中,第1热处理系在氮气环境中,以400至800℃保 持5至30分钟的热处理, 而第2热处理系在氧、氮、氩或此等混合气体环境 中,以900至1200℃保持30至120分钟的热处理。 9.如申请专利范围第8项所记载之SOI基板的制造方 法,其中,又包括:利用第2热处理将活性层表面形成 有氧化膜的贴合基板浸渍于洗净液,藉以去除上述 氧化膜后,去除微粒子及金属的洗净步骤。 图式简单说明: 第1图系按步骤顺序表示本发明实施型态之SOI基板 之制造方法的图。 第2图系表示电浆蚀刻法之原理的剖面构成图。 第3图系表示电浆蚀刻装置的剖面构成图。 第4图系表示依据膜厚的测定资料电浆蚀刻SOI基板 后,又电浆蚀刻非活性区域与活性区域之交界部分 的步骤图。 |
