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经营范围
发明名称
Method for fabricating silicide of gate electrode
摘要
申请公布号
KR100619407(B1)
申请公布日期
2006.09.11
申请号
KR20030101966
申请日期
2003.12.31
申请人
发明人
分类号
H01L21/24
主分类号
H01L21/24
代理机构
代理人
主权项
地址
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