Verfahren zur Herstellung von Dioden mit verbesserter Durchbruchspannungscharakteristik,申请号DE19961005633-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung von Dioden mit verbesserter Durchbruchspannungscharakteristik
摘要
申请公布号	DE19605633(B4)	申请公布日期	2006.09.07
申请号	DE19961005633	申请日期	1996.02.15
申请人	FAIRCHILD KOREA SEMICONDUCTOR LTD., PUCHON	发明人	HAN, MIN-KOO;CHOI, YEARN-IK;KIM, HAN-SOO;KIM, SEONG-DONG
分类号	H01L21/329;H01L29/73;H01L21/265;H01L21/266;H01L21/331;H01L21/8222;H01L27/06;H01L29/732;H01L29/86;H01L29/861	主分类号	H01L21/329
代理机构		代理人
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