| 发明名称 | 半导体微器件键合强度的检测方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种检测半导体微器件键合强度的方法，该方法是根据式(II)设计一组类似的压臂模型：8α/3≤l≤50000/α (Ⅱ）测出在某一长度l时，键合面开裂，即可算出或比较键合强度。利用本发明的方法，可以方便地对半导体微器件键合的强度进行检测。 | ||
| 申请公布号 | CN1828858A | 申请公布日期 | 2006.09.06 |
| 申请号 | CN200610007253.7 | 申请日期 | 2003.05.06 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 王翔;张大成;李婷;王玮;王颖 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 关畅 |
| 主权项 | 1、一种检测半导体微器件键合强度的方法，是根据式(II)设计一组类似的压臂模型：<math> <mrow> <mfrac> <mrow> <mn>8</mn> <mi>a</mi> </mrow> <mn>3</mn> </mfrac> <mo>≤</mo> <mi>l</mi> <mo>≤</mo> <mfrac> <mn>50000</mn> <mi>a</mi> </mfrac> <mo>-</mo> <mo>-</mo> <mo>-</mo> <mrow> <mo>(</mo> <mi>II</mi> <mo>)</mo> </mrow> </mrow> </math> 测出在某一长度l时，键合面开裂，即可算出或比较键合强度。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 | ||