发明名称 半导体发光元件
摘要 在现有的实现了使被焊盘电极覆盖的部分不发光、提高光的取出效率的半导体发光元件中,产生了如下问题:在焊盘电极中,容易混入构成线状电极的材料,由于Au线的接合力不足而容易产生损坏等。本发明提供了一种半导体发光元件,在元件(1)的最表面半导体层(1a)的表面,具有焊盘电极(3),在最表面半导体层和焊盘电极之间进行肖特基接合,在网状地覆盖除焊盘电极占据的部分之外的表面的线状电极(2)和最表面半导体层之间,进行欧姆接合,焊盘电极和线状电极在一部分接触,进行欧姆接合,在线状电极和焊盘电极的接触部,焊盘电极的层结构中的势垒金属层(3b)覆盖线状电极的层结构中的上部以及侧面的一部分或全部,从而使线状电极的构件不混入焊盘电极,来解决课题。
申请公布号 CN1828959A 申请公布日期 2006.09.06
申请号 CN200610056768.6 申请日期 2006.03.06
申请人 斯坦雷电气株式会社 发明人 富冈优子;小林静一郎;竹岛一树
分类号 H01L33/00(2006.01);H01L23/482(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 李辉
主权项 1.一种半导体发光元件,具有:焊盘电极,其被设置于最表面半导体层的表面,由多个层构成;线状电极,其被设置于最表面半导体层的表面上,网状地覆盖上述焊盘电极所占据的部分以外的表面,和上述焊盘电极部分接触,和最表面半导体层进行欧姆接合;以及势垒金属层,其被包含于上述焊盘电极中,在上述线状电极和上述焊盘电极的接触部,覆盖上述线状电极的上表面以及侧面的一部分或全部。
地址 日本东京