对称及自对准的非易失性存储器结构

摘要

一半导体基板上的存储器结构必要的包含一第一导线、两导电块、两第一介电间隔区、一第一介电层，和一第二导线。该第一导线，如一多晶硅线，是形成于该半导体基板上；且该两由多晶硅组成的导电块是，如形成于该第一导线的两侧，并由两第一介电间隔区与该第一导线绝缘。该第一介电层，如一个氧化物/氮化物/氧化物(ONO)层，是形成与两导线块上和第一导线上；且第二导线是形成于第一介电层上，并大致垂直于该两掺杂区。相应的，导电块、第一介电层及第二导线堆形成一浮栅结构，其可用于存储电荷。该第一导线和导电块分别用作一选择栅和浮栅，然，掺杂区和第二导线分别用作位线和一字线。

主权项

1.一种在一半导体基板上两掺杂区间形成的存储器结构，其特征在于包含：一第一导线，形成于该半导体基板上；两导电块，形成于该第一导线两侧，并由两者间的两第一介电间隔区与第一导线绝缘；一第一介电层，形成于两第二导电块之间；一第二导线，形成于第一介电层上并大体上垂直于该两掺杂区。