| 发明名称 | 薄膜半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种薄膜半导体器件的制造方法，该薄膜半导体器件具有基板，在基板的一部分上形成衬底保护膜，所述衬底保护膜包含一种绝缘材料，且在该衬底保护膜上形成半导体膜，将所述半导体膜作为晶体管的有源层，该方法的特征在于，包括以下工序：利用等离子体增强的化学汽相淀积反应装置形成所述衬底保护膜；利用氧等离子体或氢等离子体照射所述衬底保护膜；并在不破坏等离子体增强的化学汽相淀积反应装置真空的条件下在所述衬底保护膜的顶部形成所述半导体膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1274009C | 申请公布日期 | 2006.09.06 |
| 申请号 | CN200310101575.4 | 申请日期 | 1995.06.15 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 宫坂光敏 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);G02F1/136(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种薄膜半导体器件的制造方法，该薄膜半导体器件具有基板，在基板的一部分上形成衬底保护膜，所述衬底保护膜包含一种绝缘材料，且在该衬底保护膜上形成半导体膜，将所述半导体膜作为晶体管的有源层，该方法的特征在于，包括以下工序：利用等离子体增强的化学汽相淀积反应装置形成所述衬底保护膜；利用氧等离子体或氢等离子体照射所述衬底保护膜；并在不破坏等离子体增强的化学汽相淀积反应装置真空的条件下在所述衬底保护膜的顶部形成所述半导体膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||