| 发明名称 |
A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH SOLID PHASE EPITAXIAL REGROWTH WITH REDUCED DEPTH OF DOPING PROFILE AND METHOD OF PRODUCING SAME |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
EP1697979(A2) |
申请公布日期 |
2006.09.06 |
| 申请号 |
EP20040801534 |
申请日期 |
2004.12.10 |
| 申请人 |
KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. |
发明人 |
PAWLAK, BARTLOMIEJ, J. |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/00;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
