半导体装置及使用该装置的电子设备

摘要

一种具有强大功能、多功能、和高附加值的半导体装置。该半导体装置包含提供于衬底上并输出具有正确频率的信号的PLL电路。通过在衬底上提供这种PLL电路，可以获得具有强大功能、多功能、和高附加值的半导体装置。

主权项

1.一种半导体装置，包含低电势电源；高电势电源；以及衬底上的电压控制振荡器，该电压控制振荡器电路包含：第一电路，包含第一N型薄膜晶体管和第一P型薄膜晶体管；第二电路，包含第二N型薄膜晶体管；第三电路，包含第二P型薄膜晶体管；以及第四电路，包含第三N型薄膜晶体管和第三P型薄膜晶体管，其中第一N型薄膜晶体管的源极和漏极之一连接到第一P型薄膜晶体管的源极和漏极之一，其中第一N型薄膜晶体管的源极和漏极中另一个连接到第二N型薄膜晶体管的源极和漏极之一，其中第一P型薄膜晶体管的源极和漏极中另一个连接到第二P型薄膜晶体管的源极和漏极之一，其中第三N型薄膜晶体管的源极和漏极之一连接到第三P型薄膜晶体管的源极和漏极之一，其中第二N型薄膜晶体管的源极和漏极中另一个以及第三N型薄膜晶体管的源极和漏极中另一个连接到低电势电源，其中第二P型薄膜晶体管的源极和漏极中另一个以及第三P型薄膜晶体管的源极和漏极中另一个连接到高电势电源，其中第二N型薄膜晶体管的阈值电压低于第一N型薄膜晶体管的阈值电压，其中第三N型薄膜晶体管的阈值电压低于第一N型薄膜晶体管的阈值电压，其中第一信号输入到第二N型薄膜晶体管的栅极和第三N型薄膜晶体管的栅极，以及其中从第一N型薄膜晶体管的源极和漏极之一以及第一P型薄膜晶体管的源极和漏极之一输出第二信号。