| 发明名称 | 电源电压递降电路、延迟电路以及具有后者的半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种延迟电路，其具有由NMOS或PMOS晶体管支配的电路结构。所述延迟电路被供应作为电源电压的电源电压递降电路的输出电压，所述电源电压递降电路具有：电平生成电路，用于生成基准电压，其通过偏移电压和制造变化相关电压获得；以及m倍电压生成电路。一种半导体装置包括所述延迟电路。 | ||
| 申请公布号 | CN1829083A | 申请公布日期 | 2006.09.06 |
| 申请号 | CN200610009347.8 | 申请日期 | 2006.02.28 |
| 申请人 | 尔必达存储器株式会社 | 发明人 | 广部后纪;石川透 |
| 分类号 | H03K5/13(2006.01);H03K17/28(2006.01) | 主分类号 | H03K5/13(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 杨林森;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种电源电压递降电路，包括：电平生成电路，用于生成通过相加偏移电压和制造变化相关电压获得的基准电压；以及m倍电压生成电路，用于产生通过用m乘以所述基准电压获得的电压，其中m是正数。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||