| 发明名称 | 具有富硅氧化硅层的存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有富硅氧化物层的存储器件及其制造方法。所述具有富硅氧化物层的存储器件包括半导体结构、形成在所述半导体衬底上的源极/漏极区、和形成在所述半导体衬底上的栅结构。所述栅结构与所述源极/漏极区接触并包括具有比二氧化硅层(SiO<SUB>2</SUB>)大的硅组分的氧化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN1828945A | 申请公布日期 | 2006.09.06 |
| 申请号 | CN200610004241.9 | 申请日期 | 2006.02.13 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 车映官;柳寅儆;郑守桓 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01);H01L29/51(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L29/788(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种具有富硅氧化物层的存储器件，所述存储器件具有半导体衬底、形成在所述半导体衬底上的源极/漏极区、和形成在所述半导体衬底上的栅结构，所述栅结构与所述源极/漏极区接触，其中所述栅结构包括具有大于二氧化硅层(SiO2)的硅组分的氧化硅层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||