| 发明名称 | 抗高温应力的应力绝缘体上半导体结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及绝缘体上半导体结构，包括由半导体材料制成的部分和由电绝缘材料制成的部分，所述材料彼此结合。弹性应力存在于半导体材料中。由电绝缘材料所制成的部分具有高于SiO<SUB>2</SUB>粘滞温度T<SUB>GSiO2</SUB>的粘滞温度T<SUB>G</SUB>。本发明还涉及用于制造所述绝缘体上半导体结构的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1830078A | 申请公布日期 | 2006.09.06 |
| 申请号 | CN200480021742.7 | 申请日期 | 2004.07.28 |
| 申请人 | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 | 发明人 | B·吉斯勒;C·奥尔内;O·雷萨克 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 1.一种绝缘体上半导体结构，包括由半导体材料制成的部分和电绝缘材料的部分，彼此结合，弹性约束是在所述半导体材料的部分中，其中所述电绝缘材料的部分具有高于SiO2粘滞温度TGSiO2的粘滞温度TG。 | ||
| 地址 | 法国贝尔尼 | ||