补偿STI氧化物处理之后膜的非均匀性的去垢方法

摘要

一种用于补偿晶片上的径向非均匀性的工艺和方法包括如下步骤：在CMP工艺之后，使晶片上的膜中的旋转厚度不均匀性相对于旋转基座的轴居中；定位旋转处理单元中的喷嘴，以沿着晶片径向引导刻蚀溶液；调整来自喷嘴的刻蚀溶液的流动；调整旋转基座的转速，以控制刻蚀溶液的存留时间；以及协调旋转基座的转速、刻蚀溶液的流动以及喷嘴的定位，以最大化材料的去除。该工艺可以用于补偿STI氧化物的碗形非均匀性。在CMP工艺之后来补偿及解决这些非均匀性。

主权项

1、一种用于平坦化非均匀浅槽隔离膜的方法，包括：a.在浅槽隔离工艺之后，首先利用化学机械抛光工艺对晶片抛光，以平坦化晶片的表面；以及b.以旋转刻蚀工艺对膜的径向厚度不均匀性进行刻蚀，还包括：i.将晶片安装在旋转基座上，以使晶片上的膜中的旋转厚度不均匀性相对于旋转基座的轴居中；ii.调整旋转基座上晶片的转速；iii.沿着晶片的径向改变喷嘴的位置，以将刻蚀溶液喷涂到晶片；iv.通过喷嘴调整刻蚀溶液的流动；v.协调晶片的转速与喷嘴的位置，以最大化引起膜的非均匀性的层材料的去除。