发明名称 |
金属膜内晶粒生长控制方法 |
摘要 |
一种控制沉积在底物上的薄金属膜(如铜或金)的微结构中晶粒长大的方法。在一组实施方案中,该金属膜是沉积在底物上,形成一种微细晶粒微结构的一层膜。此膜在温度70-100℃的范围内被加热至少5分钟,其中此微细晶粒微结构就被转化为稳定的大晶粒的微结构。在另一组实施方案中,在沉积步骤之后,将此电镀膜储存于温度不超过-20℃的条件下,其中在整个储存期中,此微细晶粒微结构稳定,而晶粒未长大。 |
申请公布号 |
CN1274011C |
申请公布日期 |
2006.09.06 |
申请号 |
CN200310123560.8 |
申请日期 |
1999.06.09 |
申请人 |
国际商业机器公司 |
发明人 |
P·W·德哈文;C·C·高德史密斯;J·L·赫特;S·卡杰;M·S·勒格雷;F·D·佩费托 |
分类号 |
H01L21/288(2006.01);H01L21/445(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L21/477(2006.01);C22F1/08(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/288(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
卢新华;段晓玲 |
主权项 |
1、一种控制沉积在底物上薄金属膜的微结构中晶粒长大的方法,该方法包括步骤:(a)、在底物上沉积一种金属膜,形成一种具有微细晶粒的微结构的薄膜,和(b)、在不超过-20℃温度的条件下将此金属膜冷冻,其中使微细晶粒的微结构稳定,而在整个冷冻期间晶粒不长大。 |
地址 |
美国纽约州 |