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发明名称 METHOD FOR MANUFACTURING CAPACITOR IN SEMICONDUCTOR MEMORY DIVICE
摘要
申请公布号 KR100618682(B1) 申请公布日期 2006.09.06
申请号 KR20000030084 申请日期 2000.06.01
申请人 发明人
分类号 H01L27/108;C23C16/02;C23C16/30;H01L21/02;H01L21/314;H01L21/318;H01L21/8242 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人
主权项
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