发明名称 | 消弧线圈阻尼电阻可控硅保护装置 | ||
摘要 | 一种用于电气技术领域的消弧线圈阻尼电阻可控硅保护装置,包括:第一级保护可控硅T1、第二级保护可控硅T2、触发电流控制电阻R1~R4、电流互感器TA、阻尼电阻R,其特征在于,阻尼电阻R连接在消弧线圈的未端X和地之间,第一级保护可控硅T1并联在阻尼电阻R两端,触发电流控制电阻R1、R2连接在第一级保护可控硅T1触发端和阻尼电阻R两端;第二级保护可控硅T2并联在阻尼电阻R两端,触发电流控制电阻R3、R4连接在第二级保护可控硅T2触发端和阻尼电阻R两端;电流互感器TA串联在阻尼电阻R上。本实用新型不但动作速度快,没有机械动作,而且不需要电压引入,做到高、低压完全隔离,可靠性和性价比都具有较大的竞争优势,具有极高的应用价值。 | ||
申请公布号 | CN2814753Y | 申请公布日期 | 2006.09.06 |
申请号 | CN200520043832.8 | 申请日期 | 2005.07.28 |
申请人 | 上海思源电气股份有限公司 | 发明人 | 杨小强;王建忠 |
分类号 | H02H3/16(2006.01) | 主分类号 | H02H3/16(2006.01) |
代理机构 | 上海交达专利事务所 | 代理人 | 王锡麟;王桂忠 |
主权项 | 1、一种消弧线圈阻尼电阻可控硅保护装置,包括:电流互感器TA、阻尼电阻R,其特征在于,还包括:第一级保护可控硅T1、第二级保护可控硅T2、触发电流控制电阻R1~R4,阻尼电阻R连接在消弧线圈的未端X和地之间,第一级保护可控硅T1并联在阻尼电阻R两端,触发电流控制电阻R1、R2连接在第一级保护可控硅T1触发端和阻尼电阻R两端;第二级保护可控硅T2并联在阻尼电阻R两端,触发电流控制电阻R3、R4连接在第二级保护可控硅T2触发端和阻尼电阻R两端;电流互感器TA串联在阻尼电阻R上。 | ||
地址 | 201108上海市闵行区金都路4399号 |