TRANSISTOR GATE ELECTRODE HAVING CONDUCTOR MATERIAL LAYER AND METHOD OF FABRICATION,申请号EP20040815678-传众专利搜索

发明名称	TRANSISTOR GATE ELECTRODE HAVING CONDUCTOR MATERIAL LAYER AND METHOD OF FABRICATION
摘要
申请公布号	EP1697994(A1)	申请公布日期	2006.09.06
申请号	EP20040815678	申请日期	2004.12.22
申请人	INTEL CORPORATION	发明人	MURPHY, ANAND;BOYANOV, BOYAN;DATTA, SUMAN;DOYLE, BRIAN, S.;JIN, BEEN-YIH;YU, SHAOFENG;CHAU, ROBERT
分类号	H01L29/10;H01L21/28;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L29/49	主分类号	H01L29/10
代理机构		代理人
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