发明名称 |
红外线固体摄像装置及其制造方法 |
摘要 |
在现有的由PN结二极管检测红外线的红外线固体摄像装置中,在包围PN结二极管的氧化膜的界面上存在界面陷阱,所以由于导电的载流子的产生-复合而产生噪声。本发明提供一种红外线固体摄像装置,将构成PN结二极管的半导体层的杂质分布设定为使从所述半导体层的部分流过半导体层的导电载流子比其外围部分多的不均匀状态。因此与现有的结构相比,在半导体层周围的半导体/氧化物界面上的导电载流子的产生-复合减少,从而减小了PN结二极管的噪声。 |
申请公布号 |
CN1828948A |
申请公布日期 |
2006.09.06 |
申请号 |
CN200610006332.6 |
申请日期 |
2006.01.13 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
太田泰昭;上野雅史 |
分类号 |
H01L31/08(2006.01);H01L27/146(2006.01);H01L31/18(2006.01);H01L21/82(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/08(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王以平 |
主权项 |
1.一种红外线固体摄像装置,其特征在于,包括:在硅衬底上具有氧化硅膜层和SOI层的SOI衬底;具有在所述SOI衬底上形成的PN结二极管的检测部分,该检测部分将由入射的红外线所产生的温度变化变换为电信号;和保持所述检测部分以使该检测部分与所述硅衬底隔开的支持体,构成所述PN结二极管的半导体层的杂质分布为使流过所述半导体层的载流子在该半导体层中央部分比其外围部分多的不均匀状态。 |
地址 |
日本东京 |