| 发明名称 | 用于图像传感器的氘熔合处理 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种熔合图像传感器的方法。该方法包括在半导体基体内形成各种半导体器件，接着在半导体器件上形成绝缘层，最后在形成绝缘层之后且在沉积金属互连层之前，利用氘气熔合该图像传感器。 | ||
| 申请公布号 | CN1828870A | 申请公布日期 | 2006.09.06 |
| 申请号 | CN200610005234.0 | 申请日期 | 2006.01.04 |
| 申请人 | 豪威科技有限公司 | 发明人 | 霍华德·E·罗德斯 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L21/822(2006.01) |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人 | 戴建波 |
| 主权项 | 1、一种熔合图像传感器的方法，该方法包括：在半导体基体内形成像素阵列；在n-沟道外围区域形成若干半导体器件；在p-沟道外围区域形成若干半导体器件；在所述像素阵列与所述半导体器件上形成绝缘层；以及在形成绝缘层之后且在该绝缘层上形成接触洞之前，利用氘气熔合所述的图像传感器。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||