发明名称 太阳能电池和制造太阳能电池的方法
摘要 一种太阳能电池1具有许多互相平行地形成在硅单晶衬底的第一主要表面24a上的沟槽2。电极6形成在每个沟槽的一侧的内侧面上。每个沟槽形成在和第
申请公布号 CN1274032C 申请公布日期 2006.09.06
申请号 CN02804373.1 申请日期 2002.01.30
申请人 信越半导体株式会社;信越化学工业株式会社 发明人 渡部武纪;大塚宽之;高桥正俊;生岛聪之;阿部孝夫
分类号 H01L31/068(2006.01) 主分类号 H01L31/068(2006.01)
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 李家麟
主权项 1.一种太阳能电池,其特征在于,该太阳能电池被构型成具有形成在有近似{100}的表面晶向的半导体单晶衬底的第一主要表面上的互相近似平行的众多沟槽,每个沟槽都有一个用于提取输出的设置在其宽度方向的一侧的内侧面上的电极,并在第一主要表面上沟槽形成在和<110>方向不一致的方向上。
地址 日本东京