| 发明名称 | 在基片上形成的光子器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明针对发射或吸收具有短波长的光的光子器件，其通过使用基片上生长的氧化钼形成，所述基片由从以下选择的材料组成：单质半导体、III－V或II－IV化合物半导体、IV化合物半导体、有机半导体、金属晶体以及它们的衍生物或玻璃。实现了发射具有从蓝到深紫外线的波长的光的新的便宜的光子器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1828953A | 申请公布日期 | 2006.09.06 |
| 申请号 | CN200610005082.4 | 申请日期 | 2006.01.17 |
| 申请人 | 河东田隆 | 发明人 | 河东田隆 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L31/0256(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L31/18(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 杨林森;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种半导体光子器件，其具有在基片上形成的氧化钼层，所述基片由从以下选择的材料组成：IV单质半导体、III-V或II-IV化合物半导体、IV化合物半导体、有机半导体、金属晶体或它们的衍生物或玻璃。 | ||
| 地址 | 日本高知县 | ||