发明名称 成膜方法和成膜装置、自发光元件的制造方法和制造装置
摘要 在利用设有防止二次电子等到达被成膜面的磁场的电子束蒸镀而形成金属薄膜时,使所形成的金属薄膜的带电状态处于合适状态。一种通过电子束蒸镀在基板(1)的被成膜面(1a)上形成金属薄膜的成膜装置,利用电子束发生器(4)向收容在成膜源(2)内的金属材料(3)照射电子束EB并使其熔化,所产生的金属蒸气蒸镀在基板(1)的被成膜面(1a)上,形成金属薄膜。具有:磁场形成单元(5(磁铁5A、5B)),在被成膜面(1a)和成膜源(2)之间形成与被成膜面(1a)平行的磁场M,以防止由于向成膜源(2)照射电子束(5)而从成膜源(2)朝向被成膜面(1a)的负电荷ES;电荷监视单元(6),监视被成膜面(1a)周边的正电荷;电荷调整单元(负电荷产生单元7或磁场调整单元8),根据电荷监视单元(6)的监视结果,调整被成膜面上形成的金属薄膜的电荷状态。
申请公布号 CN1827842A 申请公布日期 2006.09.06
申请号 CN200510097106.9 申请日期 2005.12.30
申请人 日本东北先锋公司 发明人 丹博树;安喰隆美
分类号 C23C14/30(2006.01) 主分类号 C23C14/30(2006.01)
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 黄纶伟
主权项 1.一种成膜方法,通过电子束蒸镀在被成膜面上形成金属薄膜,其特征在于,在所述被成膜面和成膜源之间形成与所述被成膜面平行的磁场,以防止由于对所述成膜源进行的电子束照射而从该成膜源朝向所述被成膜面的负电荷,一面监视所述被成膜面周边的正电荷,一面根据该监视结果调整所述被成膜面上形成的金属薄膜的电荷状态。
地址 日本山形县
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