| 发明名称 | 具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片，包括：基层、N型氮化镓层、有源区、P型氮化镓层、电流扩散层、P电极以及与N型氮化镓层连接的N电极。所述的电流扩散层和P电极之间还设有可使电流扩散层和P电极导通的第一缓冲层，N型氮化镓层和N电极之间设有可使N型氮化镓层和N电极导通的第二缓冲层。将大部分焊线电极放置于缓冲层之上，使得焊线时大部分温度和压力冲击由缓冲层吸收，提高了焊接可靠性和焊接后的良品率，并可使用铝合金作为电极，大大降低了芯片制造的成本，而且降低了后段封装的成本。 | ||
| 申请公布号 | CN1828955A | 申请公布日期 | 2006.09.06 |
| 申请号 | CN200610033365.X | 申请日期 | 2006.01.24 |
| 申请人 | 吴质朴 | 发明人 | 吴质朴;马学进 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 深圳市康宏知识产权代理事务所 | 代理人 | 胡朝阳 |
| 主权项 | 1.一种具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片，包括：基层、N型氮化镓层、有源区、P型氮化镓层、电流扩散层、P电极以及与N型氮化镓层连接的N电极，其特征在于：所述的电流扩散层和P电极之间还设有可使电流扩散层和P电极导通的第一缓冲层，N型氮化镓层和N电极之间设有可使N型氮化镓层和N电极导通的第二缓冲层。 | ||
| 地址 | 518000广东省深圳市宝安区西乡镇鹤洲鸿图工业园B栋3楼 | ||