| 发明名称 | 具有双存储节点的半导体存储装置及其制备和操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了具有双存储节点结构的半导体存储装置及其制备和操作方法。该半导体存储装置包括：衬底；形成在所述衬底上的第一晶体管；连接到所述第一晶体管的源极区域的第一存储节点；连接到所述第一晶体管的漏极区域的第二存储节点；以及共同接触所述第一存储节点和第二存储节点的板线。可以每单位单元写2位数据，增加了该半导体存储装置的集成度。 | ||
| 申请公布号 | CN1828904A | 申请公布日期 | 2006.09.06 |
| 申请号 | CN200610007012.2 | 申请日期 | 2006.02.14 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 申尚旻;具本宰;朴允童;朴永洙 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01);H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | H01L27/105(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种半导体存储装置，包括：衬底；形成在所述衬底上的第一晶体管；连接到所述第一晶体管的源极区域的第一存储节点；连接到所述第一晶体管的漏极区域的第二存储节点；以及共同连接到所述第一存储节点和所述第二存储节点的第一板线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||