发明名称 |
阻止在金属沉积薄膜上产生凸起的方法 |
摘要 |
本发明的阻止在金属沉积薄膜上形成凸起的方法,其特征在于它使用一种气相沉积设备,所述设备包括真空处理腔内的一用于沉积材料的蒸发部分以及一容置元件或夹持元件,用于容置或夹持工件,通过使容置元件或夹持元件围绕水平轴线转动,可以将金属沉积材料沉积在工件的每个表面上。所进行的气相沉积导致形成在每个工件表面上的薄膜的维氏硬度保持在25或更高。根据本发明,当在诸如稀土金属基磁铁的工件表面上形成铝、锌或类似金属的金属沉积薄膜时,可以有效地阻止在金属沉积薄膜上产生凸起。 |
申请公布号 |
CN1273639C |
申请公布日期 |
2006.09.06 |
申请号 |
CN01812597.2 |
申请日期 |
2001.07.06 |
申请人 |
株式会社新王磁材 |
发明人 |
西内武司;菊井文秋;下佳已 |
分类号 |
C23C14/50(2006.01);H01F41/02(2006.01);C23C14/16(2006.01) |
主分类号 |
C23C14/50(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
郑修哲 |
主权项 |
1.一种阻止在金属沉积薄膜上形成凸起的方法,该方法使用一种气相沉积设备,所述设备包括真空处理腔内的一用于沉积材料的蒸发部分以及一用于容置或夹持工件的容置元件或夹持元件,通过使容置元件或夹持元件围绕水平轴线转动,将金属沉积材料沉积在工件的每个表面上,所述的金属沉积材料为铝、锌、锡、铅、铋或至少包含这些金属成分中的一种的合金,其特征在于:容置和/或夹持在所述容置元件和/或夹持元件内的每个工件的温度被保持在所述金属沉积材料的熔点温度的2/3或更低进行气相沉积,从而使形成在每个工件表面上的薄膜的维氏硬度保持在25或更高。 |
地址 |
日本大阪 |