发明名称 | 光纤级高纯四氯化锗的生产工艺 | ||
摘要 | 本发明公开了一种光纤级高纯四氯化锗的生产工艺,其步骤是:将精馏装置处于无氧无水状态;在惰性气体保护下,加入催化剂和四氯化锗粗品,其中催化剂占1-10%(重量比);通入反应所需卤化物气体;使用光照反应釜或使用光引发剂回流、蒸馏;在惰性气体的保护下转移出产品。本发明的优点是:工艺过程简单,将儿个步骤在套装置中完成,避免了在处理过程中溶液转移而造成产品质量下降。这一点对高纯四氯化锗溶液特别重要,因为它遇水极易分解,即使是空气中的一点水分也会影响其在光纤的应用。 | ||
申请公布号 | CN1273386C | 申请公布日期 | 2006.09.06 |
申请号 | CN200410041500.6 | 申请日期 | 2004.07.27 |
申请人 | 南京大学 | 发明人 | 潘毅;赵蕾;吕宝源;曹季 |
分类号 | C01G17/04(2006.01) | 主分类号 | C01G17/04(2006.01) |
代理机构 | 南京苏高专利事务所 | 代理人 | 柏尚春 |
主权项 | 1、一种光纤级高纯四氯化锗的生产工艺,其特征在于该工艺包括以下步骤:(1)将精馏装置处于无氧无水状态;(2)在惰性气体保护下,加入催化剂无水氯化钙或五氧化二磷和四氯化锗粗品,其中催化剂占重量比为1-10%;(3)通入反应所需卤化物气体,卤化物气体为氯化氢与氯气的混合气体;(4)使用光照反应釜或使用光引发剂回流、蒸馏,其温度条件是:在50-90℃回流2-8小时、80-100℃蒸馏、300℃以上高温分解并低温收集馏出液;(5)在惰性气体的保护下转移出产品;(6)在用液氮制造的-20度的低温环境下抽出氯化氢及氯气。 | ||
地址 | 210093江苏省南京市汉口路22号南大化院 |