发明名称 |
互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法 |
摘要 |
一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其制造方法被公开。所述CMOS图像传感器包括:像素区,提供有多个单元像素,每个包括埋入式光电二极管以及浮动扩散区;以及逻辑区,提供有用于处理从单元像素输出的数据的CMOS装置,其中自对准硅化物层形成在逻辑区中的CMOS装置的栅电极和源/漏区上,而自对准硅化物阻挡层形成在像素区之上。 |
申请公布号 |
CN1828916A |
申请公布日期 |
2006.09.06 |
申请号 |
CN200510137607.5 |
申请日期 |
2005.12.26 |
申请人 |
美格纳半导体有限会社 |
发明人 |
李柱日 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01);H01L21/822(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01) |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
徐谦;杨红梅 |
主权项 |
1.一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器,包括:像素区,提供有多个单元像素,每个包括埋入式光电二极管以及浮动扩散区;以及逻辑区,提供有用于处理从所述单元像素输出的数据的CMOS装置,其中自对准硅化物层形成在所述逻辑区中的所述CMOS装置的栅电极和源/漏区上,而自对准硅化物阻挡层形成在所述像素区之上。 |
地址 |
韩国忠清北道 |