| 发明名称 | 减慢半导体衬底中掺杂剂扩散的方法及由此制作的器件 | ||
| 摘要 | 一种制作半导体器件的方法(以及得到的结构)，它包含在衬底上注入掺杂剂和至少一种物质，以及对衬底进行退火，此至少一种物质在衬底的退火过程中减慢掺杂剂的扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN1830068A | 申请公布日期 | 2006.09.06 |
| 申请号 | CN200480021844.9 | 申请日期 | 2004.07.23 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 李康伦;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01);H01L21/324(2006.01) | 主分类号 | H01L21/265(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1、一种制作半导体器件的方法，它包括在衬底上注入掺杂剂和至少一种物质；以及对所述衬底进行退火，所述至少一种物质在所述衬底的所述退火过程中减慢所述掺杂剂的扩散。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||