非易失性半导体存储装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法，可实现OTP存储器单元的小型化和制造工艺、成本的大幅的节约。在OTP存储器的单元晶体管的漏区D内形成成为电容器的下部电极的嵌入层(8)(BN⁺)，在该嵌入层(8)上形成可通过从数据线(DL)施加的规定的电压而绝缘破坏的膜厚薄的电容器绝缘膜(7a、7b)，在该电容器绝缘膜(7a、7b)上、场氧化膜(2)上形成成为电容器的上部电极的导电层(10)。此外，使嵌入层(8)(BN⁺)与高浓度的漏区(13)(N⁺)一部分重叠。

主权项

1.一种非易失性半导体存储装置，包括含有单元晶体管和电容器的存储器单元，其特征在于，包括：字线，与所述单元晶体管的栅电极电连接；嵌入层，形成在所述单元晶体管的漏区内，成为电容器的下部电极；电容器绝缘膜，形成在所述嵌入层上；导电层，形成在所述电容器绝缘膜上，成为电容器的上部电极；数据线，与所述导电层电连接；以及电压供给电路，从所述数据线对所述电容器绝缘膜施加规定的电压，通过所述电容器绝缘膜被绝缘破坏，从而数据被写入，根据所述电容器绝缘膜是否被绝缘破坏而读出数据。