电镀铜方法、电镀铜用纯铜阳极以及由此得到的半导体晶片

摘要

本发明涉及电镀铜方法，其特征在于当进行电镀铜时采用纯铜作为阳极，和采用晶粒直径为10μm或更小、或为60μm或更大、或为非再结晶阳极的纯铜阳极进行电镀铜。本发明提供了电镀铜方法和在这种电镀铜方法中使用的电镀铜用纯铜阳极，在进行电镀铜时，使用所述方法能抑制电镀浴内阳极一侧产生粒子如淤渣，能防止粒子附着到半导体晶片上；本发明还涉及使用上述方法和阳极进行电镀而得到的粒子附着少的半导体晶片。

主权项

1.一种电镀铜方法，其特征在于当进行电镀铜时采用纯铜作为阳极，和使用晶粒直径为小于10μm、或60μm或更大的所述纯铜阳极进行电镀铜。