射频DMOS功率器件

摘要

射频DMOS功率器件，属于半导体功率器件技术以及射频集成电路技术领域。在现有部分SOI射频DMOS功率器件中，在部分氧化绝缘层下方加入低掺杂的n(或p)埋层，做成具有埋层的部分SOI射频DMOS器件，利用PN结原理增加漏区/外延层结的下极板结电容对应的耗尽宽度，以此来降低输出电容，从而提高器件的输出功率；用部分空隙绝缘层代替部分氧化绝缘层，也可做成部分SON射频DMOS器件，利用空隙相对介电常数为1的性质来减小器件的输出电容并提高器件的输出功率；利用部分空隙绝缘层和低掺杂的n(或p)埋层还可做成具有埋层的部分SON射频DMOS器件，能够更好的降低器件输出电容和提高输出功率。本发明所述器件工作在微波段频率下，同时耐压性能更高，散热性能和频响性能也能够得到保证。

主权项

1、射频DMOS功率器件，包括漏区(1)、外延层(2)、漂移区(3)、源极(4)、沟道区(5)、衬底(6)、槽区(7)、源区(8)、短接金属(9)、栅极(10)和漏极(12)，以及位于漏区(1)下方的部分氧化绝缘层(13)，所述器件通过短接金属(9)和槽区(7)实现源区(8)和衬底(6)的相连，从而提供导电、导热通道并降低了器件的寄生效应；其特征是，其紧靠部分氧化绝缘层(13)的下方还具有一个埋层(14)，所述埋层为一低掺杂的n(或p)埋层，其掺杂浓度应尽量地小，但必须大于外延层(2)的掺杂浓度。