| 发明名称 | 沿多个表面具有应变晶格结构的FET沟道 | ||
| 摘要 | 一种FinFET(10)的沟道(16)，它具有沟道核心(24)和沟道外壳(32)，各由确定不同晶格结构的半导体材料组成，以便利用应变硅的性质。栅通过栅介质被耦合到沟道外壳。示例性材料是Si和Si<SUB>x</SUB>Ge<SUB>1－x</SUB>，其中78＜x＜92。沟道核心(24)具有宽度为w<SUB>c</SUB>的顶部表面(26)和高度为h<SUB>c</SUB>的直立表面(28，30)，优选彼此取向成90度。沟道外壳(32)与顶部表面(26)和直立表面(28，30)相接触，致使与仅仅沿顶部表面(26)的接触相比，增大了界面面积，改善了导电性和栅(18)对沟道(16)的控制。为了能够在稳定的SRAM中得到尺寸更小的FET(10)，可以调整高度h<SUB>c</SUB>。公开了各种形成沟道(16)的方法，包括掩蔽和腐蚀方法、处置晶片/载体晶片方法、以及浅沟槽方法。公开了具有一个到四个栅的FinFET的实施方案和方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1826690A | 申请公布日期 | 2006.08.30 |
| 申请号 | CN200480021046.6 | 申请日期 | 2004.07.19 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 拉齐夫·V·约什;理查德·Q·威廉姆斯 |
| 分类号 | H01L27/01(2006.01);H01L29/06(2006.01);H01L31/072(2006.01);H01L31/109(2006.01);H01L31/0328(2006.01);H01L31/0336(2006.01) | 主分类号 | H01L27/01(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种用来电连接场效应晶体管(FET)的源和漏的沟道，包括：耦合到衬底并确定分隔于衬底的顶部表面以及衬底与顶部表面之间相反的侧壁表面的沟道核心，其中，沟道核心包括确定第一晶格结构的第一半导体材料；与相反的侧壁表面和顶部表面相接触的沟道外壳，其中，沟道外壳包括确定不同于第一晶格结构的第二晶格结构的第二半导体材料；以及设置在与沟道核心面对的沟道外壳表面周围的栅氧化物。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||