发明名称 半导体存储装置
摘要 通过选择位线与非选择位线之间的耦合电容的作用,能够在防止选择位线的电位降低的同时减少在非选择位线上的电流消耗。本发明具备:存储单元阵列、多条字线、多条位线、数据线、多个选择电路、预充电电路以及下拉电路。选择电路进行位线与数据线之间的电连接与电切断状态的切换。预充电电路使位线的电位成为预先设定的与第1电源线的电位不同的设定电位。此外,下拉电路使位线电位成为第1电源线的电位。
申请公布号 CN1825489A 申请公布日期 2006.08.30
申请号 CN200510137753.8 申请日期 2005.12.28
申请人 冲电气工业株式会社 发明人 高桥威雄
分类号 G11C17/18(2006.01);G11C7/12(2006.01) 主分类号 G11C17/18(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 浦柏明;刘宗杰
主权项 1.一种半导体存储装置,其特征在于,具备:存储单元阵列,其具有多个存储单元晶体管,该多个存储单元晶体管配置成矩阵状,根据第1主电极与第1电源线之间连接的有无来写入存储值;多条字线,分别连接到对应行的上述存储单元晶体管的控制电极上;多条位线,分别连接到对应列的上述存储单元晶体管的第2主电极上;数据线,有选择地输出该多条位线的电位;多个选择电路,设置于上述各条位线与上述数据线之间,当输入的选择信号的电位为选择电平时使上述位线和上述数据线之间电连接,而且,当为非选择电平时使上述位线和上述数据线之间电切断;预充电电路,连接到第1输入信号线上,使上述位线的电位成为预先设定的、与上述第1电源线的电位不同的设定电位,其中上述第1输入信号线上传播具有第1工作电平和第1非工作电平的任何一方的电位的、共用的第1输入信号;以及下拉电路,连接到第2输入信号线上,使上述位线的电位成为上述第1电源线的电位,其中上述第2输入信号线上传播具有第2工作电平和第2非工作电平的任何一方的电位的、共用的第2输入信号。
地址 日本东京