| 发明名称 | 半导体装置中形成金属线的方法 | ||
| 摘要 | 一种在半导体装置中形成线的方法，其包括如下步骤：在形成有预定结构的半导体衬底上形成层间绝缘膜；在该层间绝缘膜中形成沟槽，经由该沟槽暴露该半导体衬底的预定区域；在包括该沟槽在内的整个表面上相继形成胶合层及第一阻挡金属膜；在该沟槽的底部形成第二阻挡金属膜；及在该沟槽内形成线。 | ||
| 申请公布号 | CN1825561A | 申请公布日期 | 2006.08.30 |
| 申请号 | CN200510082045.9 | 申请日期 | 2005.07.05 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 金兑京;赵直镐 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/3205(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种在半导体装置中形成线的方法，该方法包含：在形成有预定结构的半导体衬底上形成层间绝缘膜；在该层间绝缘膜中形成沟槽，经由该沟槽暴露该半导体衬底的预定区域；在包括该沟槽在内的整个表面上相继形成胶合层及第一阻挡金属膜；在该沟槽的底部形成第二阻挡金属膜；及在该沟槽内形成线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||