| 发明名称 | 一种晶圆阶段制作的喷孔片结构及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种晶圆阶段制作的喷孔片结构，其中硅基底包含有一致动组件；一光阻薄膜形成于硅基底的表面上；一第一开口形成于光阻薄膜内，以暴露致动组件的表面，可以作为一喷墨腔；一第一金属层形成于光阻薄膜的表面上；一第二金属层形成于第一金属层的表面上；以及一第二开口贯穿第二金属层以及第一金属层，且位于第一开口的上方，以作为一喷孔。 | ||
| 申请公布号 | CN1272177C | 申请公布日期 | 2006.08.30 |
| 申请号 | CN02126872.X | 申请日期 | 2002.07.16 |
| 申请人 | 飞赫科技股份有限公司 | 发明人 | 杨长谋;周景瑜 |
| 分类号 | B41J2/14(2006.01);B41J2/16(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | B41J2/14(2006.01) |
| 代理机构 | 上海市华诚律师事务所 | 代理人 | 徐申民 |
| 主权项 | 1.一种晶圆阶段制作的喷孔片结构，包括有：a)一硅基底，包含有一致动组件；b)一光阻薄膜，形成于硅基底的表面上；c)一第一开口，形成于光阻薄膜内，用以暴露致动组件的表面，以作为一喷墨腔；d)一第一金属层，形成于光阻薄膜的表面上；e)一第二金属层，形成于第一金属层的表面上；f)一第二开口，贯穿第二金属层以及第一金属层，且位于第一开口的上方，以作为一喷孔。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市水利路81号9楼之5 | ||