| 发明名称 | 具有受应力沟道的场效应晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有由于电流沟道(22)中的应力而增大的电荷载流子迁移率的场效应晶体管。应力沿电流流动方向(纵向)。在P型场效应晶体管器件中，应力为压力；而在N型场效应晶体管器件中，应力为拉力。应力通过沟道下区域(32)中的压缩膜(34)而建立。压缩膜向上推起沟道(22)，并导致了沟道(22)的弯曲。在P型场效应晶体管器件中，压缩膜位于沟道的端部(31)下(即位于源极和漏极下)，从而导致沟道上部(22A)中的压缩。在N型场效应晶体管器件中，压缩膜位于沟道的中部(40)下(即位于栅极下)，从而导致沟道上部中的拉伸。因此，N型场效应晶体管和P型场效应晶体管器件都可被增强。本发明还公开了一种制造该器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1272856C | 申请公布日期 | 2006.08.30 |
| 申请号 | CN03159717.3 | 申请日期 | 2003.09.23 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 布鲁斯·B·多丽丝;杜尔塞蒂·奇达姆巴拉奥;泽维尔·贝依;杰克·A·曼德尔曼;德文德拉·K·萨达纳;多米尼克·J·谢皮斯 |
| 分类号 | H01L29/772(2006.01);H01L21/335(2006.01) | 主分类号 | H01L29/772(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种场效应晶体管，包括：a)沟道；b)沟道下的底切区；c)设置于沟道上方的栅极电极；以及d)底切区中的压缩膜，其中，压缩膜在沟道位于栅极电极下的区域中建立了纵向应力。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||