| 发明名称 | 磷化铟衬底上制备量子线阵列的方法 | ||
| 摘要 | 一种磷化铟衬底上制备量子线阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤A：将半绝缘磷化铟衬底进行脱氧处理；步骤B：在进行脱氧处理后的半绝缘磷化铟衬底上生长一层缓冲层，该缓冲层与磷化铟衬底晶格匹配；步骤C：在缓冲层上生长量子线和间隔层；步骤D：重复步骤C3～7次，以生长多周期量子线结构，提高量子线的尺寸和空间均匀性；步骤E：在生长多周期量子线结构之后，生长盖帽层以保护所生长的材料，完成量子线阵列的制备。 | ||
| 申请公布号 | CN1824602A | 申请公布日期 | 2006.08.30 |
| 申请号 | CN200510009600.5 | 申请日期 | 2005.02.23 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 黄秀颀;刘峰奇 |
| 分类号 | B82B3/00(2006.01) | 主分类号 | B82B3/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种磷化铟衬底上制备量子线阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤A：将半绝缘磷化铟衬底进行脱氧处理；步骤B：在进行脱氧处理后的半绝缘磷化铟衬底上生长一层缓冲层，该缓冲层与磷化铟衬底晶格匹配；步骤C：在缓冲层上生长量子线和间隔层；步骤D：重复步骤C3～7次，以生长多周期量子线结构，提高量子线的尺寸和空间均匀性；步骤E：在生长多周期量子线结构之后，生长盖帽层以保护所生长的材料，完成量子线阵列的制作。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||