| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：具有绝缘表面的衬底；在衬底上形成的第一绝缘膜，为氮化硅膜；在第一绝缘膜上形成的第二绝缘膜，为氧化硅膜；在第二绝缘膜上的结晶半导体膜，具有沟道区及源和漏区；在结晶半导体膜上形成的栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成的栅电极；层间绝缘膜，设置在所述结晶硅上；以及象素电极，通过层间绝缘膜与漏区电连接。本发明还提供了其他种类的半导体器件。这些半导体器件是借助本发明的一种腐蚀设备制成的，由于不发生等离子损伤，因而防止了在有源层侧表面中陷阱能级的出现，于是抑制了载流子通过陷阱能级的运动，因而半导体器件中的截止电流值减小。 | ||
| 申请公布号 | CN1825600A | 申请公布日期 | 2006.08.30 |
| 申请号 | CN200610005439.9 | 申请日期 | 1995.11.25 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;须泽英臣 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张志醒 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：具有绝缘表面的衬底；在所述衬底上形成的第一绝缘膜，为氮化硅膜；在所述第一绝缘膜上形成的第二绝缘膜，为氧化硅膜；在所述第二绝缘膜上的结晶半导体膜，具有沟道区及源和漏区；在所述结晶半导体膜上形成的栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上形成的栅电极；层间绝缘膜，设置在所述结晶硅上；以及象素电极，通过所述层间绝缘膜与所述漏区电连接，其中，所述结晶半导体膜是通过使用氟化卤气体进行干腐蚀而形成的。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||