| 发明名称 | 用于在SIC薄膜上外延生长适用表面的处理的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制备用于微电子和/或光电应用的半导体材料的晶片的方法。该方法包括在氧化气氛中对所述材料退火的步骤以及利用基于胶质二氧化硅的微粒的磨料进行研磨的步骤。该研磨步骤可利用研磨头(10)执行，所述半导体材料衬底(12)被插入到所述研磨头(10)中。所述液态磨料被注射到所述研磨头中，例如通过侧面导管(18)。压力(20)和由箭头(22)表示的运动被施加到所述研磨头(10)以紧靠研磨垫(14)执行研磨。这两个步骤的组合产生了令人满意的表面状况，特别是在碳化硅的情况中。 | ||
| 申请公布号 | CN1826210A | 申请公布日期 | 2006.08.30 |
| 申请号 | CN200480020999.0 | 申请日期 | 2004.07.22 |
| 申请人 | 硅绝缘技术公司 | 发明人 | 克莱尔·里什塔尔奇 |
| 分类号 | B24B37/04(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | B24B37/04(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王琼 |
| 主权项 | 1.一种制备碳化硅的晶片的表面的方法，该方法包括：在氧化气氛中退火的步骤，从而降低晶片表面的粗糙度；利用基于胶质二氧化硅的微粒的磨料研磨的步骤。 | ||
| 地址 | 法国贝尔南 | ||