发明名称 | 厚膜电阻及其制法、厚膜电阻用玻璃组合物及厚膜电阻膏 | ||
摘要 | 本发明涉及不含铅、温度特性(TCR)优良的厚膜电阻。其为在玻璃中分散有导电性材料的厚膜电阻,玻璃中含有贵金属元素。贵金属元素例如为Ag或者Pd。玻璃中所含有的贵金属元素的含量为小于等于10质量%。为了在玻璃中导入贵金属,将贵金属作为添加物来添加,控制烧成厚膜电阻时的烘焙时间、冷却速度。或者在厚膜电阻膏中使用预先溶入贵金属元素的玻璃组合物。 | ||
申请公布号 | CN1825504A | 申请公布日期 | 2006.08.30 |
申请号 | CN200610008343.8 | 申请日期 | 2006.02.17 |
申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 五十岚克彦;田中博文 |
分类号 | H01C7/00(2006.01);H01B1/14(2006.01);C03C3/00(2006.01);H01C17/06(2006.01) | 主分类号 | H01C7/00(2006.01) |
代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 钟晶 |
主权项 | 1.厚膜电阻,该厚膜电阻是在玻璃中分散有导电性材料而构成,其特征在于,所述玻璃含有贵金属元素。 | ||
地址 | 日本东京都 |