发明名称 |
利用磁场热处理改善多晶Ni<SUB>2</SUB>MnGa的磁驱动可逆应变量的方法 |
摘要 |
一种利用磁场热处理改善多晶Ni<SUB>2</SUB>MnGa的磁驱动可逆应变量的方法,包括以下步骤:a)按非化学计量配比制备的Ni<SUB>2</SUB>MnGa合金,其中含有50.3~53.0at%Ni,Mn/Ga比=1.05~1.15;b)将高纯元素Ni,Mn和Ga原料在氩气保护下电弧熔炼制得多晶锭块;c)对多晶锭块进行温度为1100~1200K、时间为1~3天的均匀化退火处理;d)经退火的多晶锭块试样进行磁场热处理,磁场强度H≈0.7T,温度为340~350K或360~460K,保温20~30分钟,然后在磁场下空冷或水淬。本发明利用磁场热处理使多晶Ni<SUB>2</SUB>MnGa的磁驱动可逆应变量比未经磁场热处理的合金提高约17%。 |
申请公布号 |
CN1272464C |
申请公布日期 |
2006.08.30 |
申请号 |
CN02111523.0 |
申请日期 |
2002.04.27 |
申请人 |
艾默生电气(中国)投资有限公司 |
发明人 |
徐祖耀;陈世朴;赵容斌;钱明 |
分类号 |
C22F3/00(2006.01);C22F1/10(2006.01);C22C19/03(2006.01);H01F1/04(2006.01) |
主分类号 |
C22F3/00(2006.01) |
代理机构 |
隆天国际知识产权代理有限公司 |
代理人 |
楼仙英 |
主权项 |
1.一种利用磁场热处理改善多晶Ni2MnGa的磁驱动可逆应变量的方法,其特征在于,包括下列步骤:a)按非化学计量配比制备Ni2MnGa合金,使所述非化学计量配比制备的Ni2MnGa合金中含有50.3~53.0at%的Ni,Mn/Ga比=1.05~1.15;按此配比,将高纯元素的Ni,Mn和Ga原料在氩气保护下进行电弧熔炼,制得多晶锭块;b)对上述多晶锭块进行均匀化退火处理;所述多晶锭块进行均匀化退火处理的退火温度为1100~1200K,时间为1~3天;c)经均匀化处理的多晶锭块制成一定尺寸的试样件,置于纯铁磁轭-永磁块组件中进行磁场热处理;所述磁场热处理的加热温度应为高于Af温度的340~350K或高于Tc温度的360~460K,保温时间为20~30分钟;所述磁场热处理时试样件的长边方向平行于永磁体组件的磁场方向。 |
地址 |
200001上海市福州路318号百腾大厦10楼 |