发明名称 利用磁场热处理改善多晶Ni<SUB>2</SUB>MnGa的磁驱动可逆应变量的方法
摘要 一种利用磁场热处理改善多晶Ni<SUB>2</SUB>MnGa的磁驱动可逆应变量的方法,包括以下步骤:a)按非化学计量配比制备的Ni<SUB>2</SUB>MnGa合金,其中含有50.3~53.0at%Ni,Mn/Ga比=1.05~1.15;b)将高纯元素Ni,Mn和Ga原料在氩气保护下电弧熔炼制得多晶锭块;c)对多晶锭块进行温度为1100~1200K、时间为1~3天的均匀化退火处理;d)经退火的多晶锭块试样进行磁场热处理,磁场强度H≈0.7T,温度为340~350K或360~460K,保温20~30分钟,然后在磁场下空冷或水淬。本发明利用磁场热处理使多晶Ni<SUB>2</SUB>MnGa的磁驱动可逆应变量比未经磁场热处理的合金提高约17%。
申请公布号 CN1272464C 申请公布日期 2006.08.30
申请号 CN02111523.0 申请日期 2002.04.27
申请人 艾默生电气(中国)投资有限公司 发明人 徐祖耀;陈世朴;赵容斌;钱明
分类号 C22F3/00(2006.01);C22F1/10(2006.01);C22C19/03(2006.01);H01F1/04(2006.01) 主分类号 C22F3/00(2006.01)
代理机构 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人 楼仙英
主权项 1.一种利用磁场热处理改善多晶Ni2MnGa的磁驱动可逆应变量的方法,其特征在于,包括下列步骤:a)按非化学计量配比制备Ni2MnGa合金,使所述非化学计量配比制备的Ni2MnGa合金中含有50.3~53.0at%的Ni,Mn/Ga比=1.05~1.15;按此配比,将高纯元素的Ni,Mn和Ga原料在氩气保护下进行电弧熔炼,制得多晶锭块;b)对上述多晶锭块进行均匀化退火处理;所述多晶锭块进行均匀化退火处理的退火温度为1100~1200K,时间为1~3天;c)经均匀化处理的多晶锭块制成一定尺寸的试样件,置于纯铁磁轭-永磁块组件中进行磁场热处理;所述磁场热处理的加热温度应为高于Af温度的340~350K或高于Tc温度的360~460K,保温时间为20~30分钟;所述磁场热处理时试样件的长边方向平行于永磁体组件的磁场方向。
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