发明名称 半导体器件及其制造方法
摘要 本发明提供一种半导体组件及其制造方法,在将半导体元件(3)和无源元件(4)与印制基板(6a)连接的半导体组件中,半导体元件(3)和无源元件(4)与印制基板(6a)之间的连接部(17),由具有260℃以上的熔点的金属和具有260℃以上的熔点的金属间化合物构成。具体地,通过利用具有熔点为260℃以下的无铅焊锡来连接,可以将便宜、轻量且可降低部件高度的印制基板(6a)应用于组件基板中。
申请公布号 CN1825578A 申请公布日期 2006.08.30
申请号 CN200510128990.8 申请日期 2005.12.05
申请人 株式会社瑞萨科技 发明人 池田靖;冈本正英;伊藤幸弘
分类号 H01L23/488(2006.01);H01L21/60(2006.01);B23K35/24(2006.01) 主分类号 H01L23/488(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 胡建新
主权项 1.一种半导体器件,其特征在于,具有半导体元件、无源部件、及将上述半导体元件和上述无源部件连接的印制基板,上述半导体元件和上述无源部件与上述印制基板的连接部,由具有260℃以上的熔点的金属和具有260℃以上的熔点的金属间化合物构成。
地址 日本东京都