| 发明名称 | 薄膜形成方法,薄膜形成装置,程序和计算机可读取信息记录介质 | ||
| 摘要 | 本发明涉及通过交互地供给成为原料的气体而进行薄膜的形成而迅速地形成高质量的薄膜的方法，是包括使作为原料气体的TiCl<SUB>4</SUB>气体附着于基板上或附着于基板的TiCl<SUB>4</SUB>分子上，把作为反应气体的NH<SUB>3</SUB>气体供给到处理容器内，使此NH<SUB>3</SUB>与TiCl<SUB>4</SUB>反应而形成TiN膜的工序，通过重复实施这些工序而形成TiN膜的方法，其中还设有在TiCl<SUB>4</SUB>气体附着于基板上前，把具有还原性的H<SUB>2</SUB>气供给到处理容器(30)内，使TiCl<SUB>4</SUB>变化成容易吸附于基板的状态(例如TiCl<SUB>3</SUB>)的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1826428A | 申请公布日期 | 2006.08.30 |
| 申请号 | CN200480002181.6 | 申请日期 | 2004.02.26 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 大岛康弘;小岛康彦;重冈隆;河南博;石坂忠大 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01);C23C16/34(2006.01);H01L21/285(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | C23C16/455(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种薄膜形成方法，其特征在于，包括：把含有成为要形成的薄膜的原料的元素的原料气体供给到处理容器内，使所述原料气体吸附于基板上或已经吸附于该基板上的原料气体的分子上的第一工序；和把与所述原料气体反应而生成薄膜的一种或多种反应气体供给到所述处理容器内，使所述原料气体与所述反应气体反应而形成薄膜层的第二工序，通过反复实施所述第一工序与所述第二工序而形成薄膜，其中，设有在所述原料气体吸附于所述基板上前，使所述原料气体变化成易于吸附于所述基板的状态的第三工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||