| 发明名称 | 耐磨耗介电层的制作方法 | ||
| 摘要 | 首先提供一基底，该基底包括多个连接垫。接着至少进行一等离子体辅助化学气相沉积工艺，以于该基底的表面沉积一介电层，且该等离子体辅助化学气相沉积工艺利用一高频－低频等离子体交错方式进行。最后进行一各向异性蚀刻工艺，以于该介电层中形成多个对应于这些连接垫的开口，且各开口的侧壁呈向外倾斜状。 | ||
| 申请公布号 | CN1825545A | 申请公布日期 | 2006.08.30 |
| 申请号 | CN200510052127.9 | 申请日期 | 2005.02.25 |
| 申请人 | 探微科技股份有限公司 | 发明人 | 赖委舜;胡书华;黄冠瑞;潘锦昌;许渊钦 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01);H01L21/318(2006.01) | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种耐磨耗介电层的制作方法，包括：提供一基底，该基底包括：多个元件，设置于该基底中；多个连接垫设置于该基底的表面并与这些元件电连接；以及；一表面介电层，设于该基底的表面并曝露出这些连接垫；进行一表面处理工艺，且该表面处理工艺至少包括一等离子体蚀刻(plasma etching)工艺；至少进行一等离子体辅助化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapordeposition，PECVD)工艺，以于该表面介电层的表面沉积一介电层，且该等离子体辅助化学气相沉积工艺利用一高频-低频等离子体交错方式进行；以及于该介电层的表面形成一屏蔽图案，并进行一各向异性蚀刻工艺，以于该介电层中形成多个对应于这些连接垫的开口，这些开口曝露出这些连接垫，且各开口的侧壁呈向外倾斜状。 | ||
| 地址 | 台湾省桃园县 | ||