发光二极管及其制造方法

摘要

本发明提供把在分布布拉格反射器的近红外光的发光减少到可忽视的水平，进而降低在分布布拉格反射器的光的吸收率的高亮度发光二极管。为了达到该目的，通过对AlGaInP系发光二极管的分布布拉格反射器使用AlGaAs层和AlInP层的组合，并将其膜厚规定为下述(1)、(2)、(3)式的关系。(AlGaAs层的膜厚[nm])＝{λn₁)}×α…(1)，(AlInP层的膜厚[nm])＝{λ₀/(4×n₂)}×(2－α)…(2)，λn₁：对需要反射的光的波长的AlGaAs层的折射率，n₂：对需要反射的光的波长的AlInP层的折射率，0.5＜α＜0.9…(3)。

主权项

1.发光二极管，是在第一导电型衬底上，形成用第一导电型下包层和第二导电型上包层夹持活性层的发光部，在第一导电型下包层和衬底之间，插入由交互层积高折射率膜和低折射率膜的多层膜构成的第一导电型分布布拉格反射器这种构造的发光二极管，其特征在于，构成所述分布布拉格反射器的高折射率膜和低折射率膜的材质使用AlGaAs层和AlInP层。