| 发明名称 | 聚光太阳电池的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种聚光太阳电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以砷化镓或锗单晶片为衬底；步骤2：利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延和液相外延生长技术，生长太阳电池外延片；步骤3：在外延片上制作上电极，在衬底的下面制作下电极：步骤4：腐蚀上表面、蒸镀减反射膜、对电池组件封装；步骤5：利用一支架在电池的正面安装聚光装置，在电池的背面安装冷却装置；步骤6：安装对日跟踪装置，完成电池的制作。 | ||
| 申请公布号 | CN1825632A | 申请公布日期 | 2006.08.30 |
| 申请号 | CN200510009540.7 | 申请日期 | 2005.02.21 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 陈诺夫;白一鸣;王晓晖;梁平;陆大成 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01);H01L31/04(2006.01) | 主分类号 | H01L31/18(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种聚光太阳电池的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：以砷化镓或锗单晶片为衬底；步骤2：利用金属有机化合物气相沉积法、分子束外延和液相外延生长技术，生长太阳电池外延片；步骤3：在外延片上制作上电极，在衬底的下面制作下电极；步骤4：腐蚀上表面、蒸镀减反射膜、对电池组件封装；步骤5：利用一支架在电池的正面安装聚光装置，在电池的背面安装冷却装置；步骤6：安装对日跟踪装置，完成电池的制作。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 | ||